真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計(jì)20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機(jī)LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
PVD(物相沉積)鍍膜機(jī)是一種用于在材料表面沉積薄膜的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、金屬加工等領(lǐng)域。PVD技術(shù)通過物理方法將材料從源頭轉(zhuǎn)移到基材表面,形成均勻的薄膜。PVD鍍膜機(jī)主要有以下幾種類型:
1. **蒸發(fā)鍍膜機(jī)**:通過加熱材料使其蒸發(fā),然后在基材上沉積形成薄膜。
2. **濺射鍍膜機(jī)**:利用高能粒子轟擊靶材,使靶材的原子或分子脫離并沉積在基材上。
3. **分子束外延(MBE)**:在真空環(huán)境下,將源材料以分子束的形式導(dǎo)入基材表面,逐層沉積薄膜。
PVD鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn)包括:
- 可以沉積材料的薄膜,如金屬、氧化物和氮化物等。
- 薄膜均勻性好,厚度可控。
- 對基材的要求相對較低,適用范圍廣。
在選擇PVD鍍膜機(jī)時需要考慮的因素包括沉積材料的種類、基材的性質(zhì)、沉積速率、膜層厚度及所需的真空度等。隨著技術(shù)的發(fā)展,PVD鍍膜機(jī)的性能和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
磁控濺射鍍膜機(jī)是一種常用的薄膜制備設(shè)備,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電器件、光學(xué)涂層等領(lǐng)域。其主要特點(diǎn)包括:
1. **高沉積速率**:磁控濺射技術(shù)能夠在較短時間內(nèi)實(shí)現(xiàn)較高的薄膜沉積速率,適用于大規(guī)模生產(chǎn)。
2. **優(yōu)良的膜層均勻性**:由于采用磁場增強(qiáng)了離子的密度,膜層的厚度均勻性和思想性得到了顯著提升。
3. **良好的膜質(zhì)**:磁控濺射沉積的膜層通常具有較高的致密性和優(yōu)良的物理性質(zhì),如低內(nèi)應(yīng)力和高附著力。
4. **適用性廣**:可以對多種材料進(jìn)行沉積,包括金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等,適用范圍廣泛。
5. **可控性強(qiáng)**:通過調(diào)節(jié)氣體壓力、功率、目標(biāo)材料和沉積時間等參數(shù),可以控制膜層的厚度和組成。
6. **環(huán)境友好**:相比于其他鍍膜技術(shù),磁控濺射常用的氣體(如氬氣)對環(huán)境危害較小,過程相對環(huán)保。
7. **良好的應(yīng)變控制**:磁控濺射可以在較低的溫度下進(jìn)行,這對于熱敏感材料尤為重要,可以有效控制膜層的應(yīng)變和缺陷。
8. **多功能性**:可通過不同的配置實(shí)現(xiàn)多種功能,如多層膜的沉積或不同材料的復(fù)合沉積。
這些特點(diǎn)使得磁控濺射鍍膜機(jī)成為現(xiàn)代薄膜技術(shù)中重要的工具。

濺射靶是一種用于薄膜沉積技術(shù)的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于物理、材料科學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)。其主要功能包括:
1. **物質(zhì)沉積**:通過濺射技術(shù)將靶材(如金屬、合金或氧化物)中的原子或分子打出,并在基材表面形成薄膜。
2. **薄膜均勻性**:濺射靶能夠在較大的面積上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜沉積,這對許多應(yīng)用至關(guān)重要。
3. **控制膜厚度**:通過調(diào)整濺射時間、功率和氣氛等參數(shù),可以控制沉積膜的厚度。
4. **材料多樣性**:能夠處理多種不同類型的靶材,適用于不同的應(yīng)用需求。
5. **低溫沉積**:濺射過程通常在較低溫度下進(jìn)行,因此適合一些熱敏材料的沉積。
6. **量膜**:濺射技術(shù)可制作高致密性、低缺陷的薄膜,適合高性能電子元件和光電器件等。
7. **大面積沉積**:有些濺射靶可以實(shí)現(xiàn)大面積的一次性沉積,適合工業(yè)化生產(chǎn)。
8. **功能薄膜制備**:可以用于制備功能性薄膜,如透明導(dǎo)電氧化物(TCO)、磁性薄膜及其他材料。
濺射靶的技術(shù)進(jìn)步與材料科學(xué)的發(fā)展密切相關(guān),對推動新材料的研究和應(yīng)用起到了重要作用。

磁控濺射是一種廣泛應(yīng)用于薄膜沉積的技術(shù),主要用于在基材上沉積金屬、絕緣體或半導(dǎo)體材料。其功能和優(yōu)勢包括:
1. **量薄膜**:磁控濺射能夠沉積出均勻、致密且質(zhì)量優(yōu)良的薄膜,適用于材料,包括金屬、合金和氧化物等。
2. **可控性強(qiáng)**:通過調(diào)節(jié)濺射參數(shù)(如氣壓、電源功率、磁場強(qiáng)度等),可以控制薄膜的厚度和性質(zhì)。
3. **低溫沉積**:與其他沉積技術(shù)相比,磁控濺射通常可以在較低溫度下進(jìn)行,這對于熱敏感材料尤為重要。
4. **多種材料的沉積**:可以在不同類型的基材上沉積材料,適用范圍很廣。
5. **高沉積速率**:由于利用了磁場增強(qiáng)離子化過程,磁控濺射的沉積速率通常較高,能夠提高生產(chǎn)效率。
6. **良好的附著力**:沉積的薄膜與基材之間具有良好的附著力,適合用于多種應(yīng)用。
7. **均勻性和厚度控制**:可以實(shí)現(xiàn)大面積的均勻沉積,適用于需要大尺寸薄膜的應(yīng)用。
磁控濺射廣泛應(yīng)用于光電器件、太陽能電池、薄膜電路、保護(hù)涂層等領(lǐng)域。

PVD(物相沉積)鍍膜機(jī)是一種用于在基材表面沉積薄膜的設(shè)備。其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:通過物相沉積方法,PVD鍍膜機(jī)可以在基材表面沉積金屬、合金、氧化物、氮化物等薄膜材料,用于改善表面性能。
2. **表面改性**:通過鍍膜,可以提高基材的耐磨性、耐腐蝕性、抗氧化性等,延長材料的使用壽命。
3. **功能涂層**:PVD鍍膜可以賦予材料特定的功能,例如光學(xué)性能(反射、透射)、導(dǎo)電性能、熱導(dǎo)性等,適用于電子、光學(xué)等行業(yè)。
4. **裝飾效果**:在一些應(yīng)用中,PVD鍍膜機(jī)可用于實(shí)現(xiàn)裝飾性涂層,提高產(chǎn)品的美觀性和附加值。
5. **薄膜**:PVD技術(shù)能夠在較低的溫度下沉積量的薄膜,適合用于一些熱敏材料的表面處理。
6. **環(huán)境友好**:相比于化學(xué)鍍膜方法,PVD過程通常不需要使用有毒化學(xué)物質(zhì),減小了對環(huán)境的影響。
7. **可控性強(qiáng)**:PVD鍍膜機(jī)可以控制膜厚、沉積速率等參數(shù),實(shí)現(xiàn)高重復(fù)性和一致性的薄膜性能。
總之,PVD鍍膜機(jī)在現(xiàn)代制造業(yè)中發(fā)揮著重要作用,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、汽車、等多個領(lǐng)域。
小型磁控濺射鍍膜機(jī)是一種常見的薄膜沉積設(shè)備,廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域。其適用范圍主要包括:
1. **材料科學(xué)**:用于研究新材料的特性和薄膜的性能,可以制備金屬、合金和合成材料的薄膜。
2. **電子器件**:在半導(dǎo)體、光電器件等領(lǐng)域,常用于制造電極、保護(hù)膜和介電層等。
3. **光學(xué) coating**:用于光學(xué)元件的鍍膜,如鏡頭、光學(xué)濾光片、防反射涂層等。
4. **太陽能電池**:用于鍍膜太陽能電池的材料,提升其光電轉(zhuǎn)換效率。
5. **傳感器**:在傳感器的制造中用于沉積感應(yīng)膜,提升其性能和穩(wěn)定性。
6. **飾品與裝飾品**:用于金屬表面的裝飾性鍍膜,提高美觀及防腐蝕性能。
7. **生物醫(yī)學(xué)**:在生物材料和器械的表面改性中,改善表面特性,促進(jìn)生物相容性。
8. **實(shí)驗(yàn)室研究**:小型設(shè)備適合于科研實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行材料合成與性質(zhì)測試。
小型磁控濺射鍍膜機(jī)因其操作靈活、適用性廣泛,受到許多行業(yè)和科研機(jī)構(gòu)的歡迎。
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